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  • 西安光学精密机械研... [47]
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光モジュール 专利  OAI收割
专利号: JP2019096722A, 申请日期: 2019-06-20, 公开日期: 2019-06-20
作者:  松村 貴由;  中村 直章;  海沼 則夫;  久保田 崇;  福園 健治
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Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI
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Gallium nitride-on-silicon interface using multiple aluminum compound buffer layers 专利  OAI收割
专利号: US7598108, 申请日期: 2009-10-06, 公开日期: 2009-10-06
作者:  LI, TINGKAI;  TWEET, DOUGLAS J.;  MAA, JER-SHEN;  HSU, SHENG TENG
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発光モジュール、その製造方法、光送受信モジュール及び光通信システム 专利  OAI收割
专利号: JP2006126754A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
作者:  上西 盛聖;  安達 一彦;  廣居 正樹;  森 孝二;  佐藤 俊一
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III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者:  大井 明彦;  鈴木 健;  松井 俊之;  松山 秀昭;  上條 洋
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Cubic MgxZn1-xO films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割
journal of inorganic materials, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1385-1388
作者:  Qiu, DJ;  Wu, HZ;  Chen, NB;  Tian, WJ
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半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者:  横川 俊哉;  吉井 重雄
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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