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• 微电子研究所 [35]

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• OAI收割 [35]

内容类型

• 外文期刊 [35]

发表日期

• 2010 [6]
• 2009 [7]
• 2008 [2]
• 2007 [11]
• 2006 [4]
• 2005 [1]
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浏览/检索结果: 共35条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Xu, QX;  Hu, AB   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Thermopile Infrared Detector with Detectivity Greater Than 10(8) cmHz((1/2))/W 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Xue, CY;  Wang, KQ;  Liang, T;  Jiao, BB;  Zhang, WD   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/26 Fabrication  Sensors   A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices   High-Performance Si Nanowire Transistors on Fully Si Bulk Substrate From Top-Down Approach: Simulation and Fabrication 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhuge, J;  Tian, Y;  Wang, RS;  Huang, R;  Wang, YQ   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Thermal-conductivity  Device-simulation  Mosfets  Layers   ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3   Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhao, YN;  Xu, HH;  Du, G;  Liu, XY;  Fan, C   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Growth  Germanium  Silicon  Vapor   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Silicon nanocrystals synthesized by electron-beam co-evaporation method and their application for nonvolatile memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Jia, R;  Chen, C;  Liu, M;  Li, WL;  Zhu, CX   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Energy Ion-beam  Si Nanocrystals  Emission  Density  Devices   Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory  Resistance  Films