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• 半导体研究所 [126]

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• OAI收割 [126]

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• 期刊论文 [113]
• 会议论文 [13]

发表日期

• 2011 [11]
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学科主题

• 半导体材料 [126]

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浏览/检索结果: 共126条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-power InGaAs/GaAs quantum-well laser with enhanced broad spectrum of stimulated emission 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 14, 页码: 141101 Wang, HL; Yu, HY; Zhou, XL; Kan, Q; Yuan, LJ; Chen, WX; Wang, W; Ding, Y; Pan, JQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/03/20 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏  |  浏览/下载：36/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  SEGREGATION  INTERFACE   Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463 Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 RAMAN-SCATTERING  SEMICONDUCTING NANOWIRES  OPTOELECTRONIC DEVICES  PHOSPHIDE NANOWIRES  OPTICAL PHONONS  SILICON  CRYSTALS  SPECTRA   High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191- Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTRUM   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301 作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L 收藏  |  浏览/下载：37/3  |  提交时间：2011/07/05 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties  SILICON-CARBIDE  LIGHT  GAP   The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914 作者:  Jin P;  Ye XL;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2011/07/05 SPECTROSCOPY   Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate 期刊论文  OAI收割 spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630 作者:  Tang AW 收藏  |  浏览/下载：82/5  |  提交时间：2011/07/15 SILVER NANORODS  HOT-SPOTS  ACTIVE SUBSTRATE  NANOWIRE ARRAYS  SPECTROSCOPY  SERS  NANOPARTICLES  SENSITIVITY  REDUCTION  STABILITY