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• 半导体研究所 [69]

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• OAI收割 [69]

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浏览/检索结果: 共69条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    存缴方式：oaiharvest     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359 作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/11/26 Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362 作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/11/26 Temperature and excitation wavelength dependence of circular and linear photogalvanic effect in a three dimensional topological insulator Bi 2 Se 3 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics Condensed Matter, 2019, 卷号: 31, 期号: 41, 页码: 415702 作者:  Y M Wang ;   J L Yu ;   X L Zeng ;   Y H Chen ;   Y Liu ;   S Y Cheng ;   Y F Lai ;   C M Yin ;   K He 7 ;   Q K Xue   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/30 Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/04 The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/31 Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/15 Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901 作者:  X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/23 A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended SiWafer by Conventional Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 27-31 作者:  X. F. Liu;  z G. G. Yan;  Z. W. Shen;  Z. X.Wen;  L. X. Tian 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/06/15 Separation of the intrinsic and extrinsic mechanisms of the photo-induced anomalous Hall effect 期刊论文  OAI收割 Physica E, 2017, 卷号: 90, 页码: 55–60 作者:  J.L. Yu;  Y.H. Chen;  S.Y. Cheng;  X.L. Zeng;  Y. Liu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/23