机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• iSwitch采集 [10]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [2]
• 2007 [5]
• 2006 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Spontaneous quasi-periodic current self-oscillations in a weakly coupled GaAs/(Al,Ga)As superlattice at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 24, 页码: 242107 Yuyang Huang, Wen Li, Wenquan Ma, Hua Qin, Holger T. Grahn, Yaohui Zhang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 Theoretical study of polarization-doped gan-based light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N. X.;  Wei, T. B.;  Ji, X. L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Microphotoluminescence investigation of inas quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Ding, Y.;  Fan, W. J.;  Ma, B. S.;  Xu, D. W.;  Yoon, S. F. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111 Ding Y (Ding Y.); Fan WJ (Fan W. J.); Ma BS (Ma B. S.); Xu DW (Xu D. W.); Yoon SF (Yoon S. F.); Liang S (Liang S.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Wasiak M (Wasiak M.); Czyszanowski T (Czyszanowski T.); Nakwaski W (Nakwaski W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/14 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  MODES   Electroluminescence from nano-crystalline si/sio2 structures embedded in pn junctions 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 作者:  Chen, D. Y.;  Wang, X.;  Wei, D. Y.;  Wang, T.;  Xu, J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Pecvd  Electroluminescence  P-i-n structures   Voltage tunable two-color inas/gaas quantum dot infrared photodetector 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Ma, W. Q.;  Yang, X. J.;  Chong, M.;  Yang, T.;  Chen, L. H. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 作者:  Lin, T.;  Zheng, K.;  Wang, C. L.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Characterization of free-standing gan substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a tin interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Cathodoluminescence  Micro-raman scattering   Cathodoluminescence and raman research of v-shape inverted pyramid in hvpe grown gan film 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885 作者:  Wei, T. B.;  Ma, P.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  V-shape defects  Cathodoluminescence  Red emission   Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12