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  • 2018 [18]
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非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
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Source-Field-Plated β-Ga2O3 MOSFET with Record Power Figure of Merit of 50.4 MW/cm2 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Yuanjie Lv;  Xingye zhou;  shibing Long;  Xubo Song;  Yuangang Wang
  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/04/18
Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing 期刊论文  OAI收割
Materials, 2018
作者:  Wang R(王睿);  Shi T(时拓);  Zhang XM(张续猛);  Wang W(王伟);  Wei JS(魏劲松)
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Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics B, 2018
作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安)
  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/04/12
An Overview of the Ultrawide Bandgap Ga2O3 Semiconductor-Based Schottky Barrier Diode for Power Electronics Application 期刊论文  OAI收割
Nanoscale Research Letters, 2018
作者:  Xue HW(薛惠文);  He QM(何启鸣);  Jian GZ(菅光忠);  Long SB(龙世兵);  Liu M(刘明)
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一种自选通阻变存储器件及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610282626.5, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-08-03
作者:  吕杭炳;  刘明;  许晓欣;  罗庆;  刘琦
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一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 专利  OAI收割
专利号: CN201610258335.2, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-07-20
作者:  吕杭炳;  刘明;  刘琦;  龙世兵
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C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割
AIP Advances, 2018
作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)
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Modulating 3D memristor synapse by analog spiking pulses for bioinspired neuromorphic computing 期刊论文  OAI收割
SCIENCE CHINA, 2018
作者:  Liu Q(刘琦);  Zhang XM(张续猛);  Luo Q(罗庆);  Zhao XL(赵晓龙);  Lv HB(吕杭炳)
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Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Resistive-Switching Device for 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者:  
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