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• 半导体研究所 [62]

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• OAI收割 [62]

内容类型

• 期刊论文 [56]
• 会议论文 [6]

发表日期

• 2014 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [62]

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浏览/检索结果: 共62条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 4, 页码: 044507 Luan, CB; Lin, ZJ; Lv, YJ; Zhao, JT; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/19 An evidence of defect gettering in GaN 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499 Majid A; Ali A; Zhu JJ; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：54/7  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Effect of the ratio of TMIn flow to group III flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 Zhang, JC; Wang, JF; Wang, YT; Hui, Y 收藏  |  浏览/下载：139/36  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis x-ray diffraction   Effects of the sulfur pressure on pyrite FeS2 films prepared by sulfurizing thermally iron films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 286-292 Wan DY; Wang BY; Wang YT; Sun H; Zhang RG; Wei L 收藏  |  浏览/下载：326/6  |  提交时间：2010/08/12 crystallization  sulfidation  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ATMOSPHERE   Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238 Wan DY; Wang YT; Wang BY; Ma CX; Sun H; Wei L 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  sulfidation of iron films  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ELECTRODEPOSITION  ATMOSPHERE  PRESSURE   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：251/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)   High-resolution X-ray diffraction analysis of the Bragg peak integrated intensity in highly mismatched III-N epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 354-358 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  BUFFER LAYER  GAN  GROWTH   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS