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• 半导体研究所 [25]

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发表日期

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学科主题

• 光电子学 [25]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2012, 卷号: 520, 期号: 16, 页码: 5361-5366 Hu, WX; Cheng, BW; Xue, CL; Su, SJ; Liu, Z; Li, YM; Wang, QM; Wang, LJ; Liu, JQ; Ding, J; Lin, GJ; Lin, ZD 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/02/04 Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping 期刊论文  OAI收割 optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 20, 页码: 22327-22333 Liu Z (Liu, Zhi); Hu WX (Hu, Weixuan); Su SJ (Su, Shaojian); Li C (Li, Chong); Li CB (Li, Chuanbo); Xue CL (Xue, Chunlai); Li YM (Li, Yaming); Zuo YH (Zuo, Yuhua); Cheng BW (Cheng, Buwen); Wang QM (Wang, Qiming) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Remarkable Franz-Keldysh Effect in Ge-on-Si p-i-n Diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 34205 Li, YM; Hu, WX; Cheng, BW; Liu, Z; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/17 Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17805 Hu, WX; Cheng, BW; Xue, CL; Zhang, GZ; Su, SJ; Zuo, YH; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 23, 页码: 231108, 231108 作者:  Liu Z (Liu, Zhi);  Hu WX (Hu, Weixuan);  Li C (Li, Chong);  Li YM (Li, Yaming);  Xue CL (Xue, Chunlai)   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/20 LIGHT-EMITTING-DIODES  GE  SI  SILICON  GAIN  GAP  Light-emitting-diodes  Ge  Si  Silicon  Gain  Gap   GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文  OAI收割 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：70/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801 Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/02/22 Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Design of Waveguide Integrated Ge-Quantum-Well Electro-Absorption Modulators 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.14204 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：55/5  |  提交时间：2011/07/05 SILICON  PHOTODETECTORS  SI