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• 半导体研究所 [12]

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• 期刊论文 [11]
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发表日期

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学科主题

• 光电子学 [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 materials technology, 2016 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 20, 页码: 205103 Su, X. J.; Xu, K.; Xu, Y.; Ren, G. Q.; Zhang, J. C.; Wang, J. F.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/27 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48 Su, X. J.; Xu, K.; Ren, G. Q.; Wang, J. F.; Xu, Y.; Zeng, X. H.; Zhang, J. C.; Cai, D. M.; Zhou, T. F.; Liu, Z. H.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/08/27 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508 作者:  M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/09 Coupling coefficient calculation for GaSb-based quantum well distributed feedback lasers with laterally coupled gratings 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 50, 页码: 505109 Wang YB (Wang, Y. B.); Xu Y (Xu, Y.); Zhang Y (Zhang, Y.); Song GF (Song, G. F.); Chen LH (Chen, L. H.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/19 Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: art.no.125007 Liu, JQ (Liu, J. Q.); Wang, JF (Wang, J. F.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Guo, X (Guo, X.); Huang, K (Huang, K.); Zhang, YM (Zhang, Y. M.); Hu, XJ (Hu, X. J.); Xu, Y (Xu, Y.); Xu, K (Xu, K.); Huang, XH (Huang, X. H.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：244/114  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS