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• 半导体研究所 [22]

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• 会议论文 [1]

发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [22]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103 Yang ZC (Yang Z. C.); Huang AP (Huang A. P.); Zheng XH (Zheng X. H.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Liu XY (Liu X. Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Chu PK (Chu Paul K.); Wang WW (Wang W. W.) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/11/14 Electron state density  Fermi-level pinning (FLP)  MIS structures  work function (WF)  WORK FUNCTION   Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144 Chen DJ; Shen B; Bi ZX; Zhang KX; Gu SL; Zhang R; Shi, Y; Zheng YD; Sun XH; Wan SK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：117/41  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Chen DJ; Shen B; Bi ZX; Zhang KX; Gu SL; Zhang R; Shi Y; Zheng YD; Sun XH; Wan SK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：470/1  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN-RICH SIDE  RADICAL CELL  III-V   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS   X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Thermodynamics and kinetics analysis of in-situ synthesizing AlN 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 249-254 Zheng XH; Wang Q; Zhou ML; Li CG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 Al-Mg alloy  in-situ synthesis  AlN  Mg  thermo-dynamical  dynamics  THERMAL-CONDUCTIVITY  ALUMINUM NITRIDE  HETEROSTRUCTURE   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS