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Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 1-222
作者:  Arcaro, Alexandre;  Arias, Esperanza;  Arimoto, Hirokazu;  Ariosa, Aileen R.;  Armstrong, Jane L.
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Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 页码: 1-222
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdelmohsen, Kotb;  Abe, Akihisa;  Abedin, Md Joynal;  Abeliovich, Hagai
  |  收藏  |  浏览/下载：580/0  |  提交时间：2018/05/31
Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  
III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
作者:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode 专利  OAI收割
专利号: US8488642, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16
作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24
Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI
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Method of making nitride semiconductor laser, method of making epitaxial wafer, and nitride semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US8295317, 申请日期: 2012-10-23, 公开日期: 2012-10-23
作者:  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26
Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
作者:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE
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Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2012, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 445-544
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdalla, Fabio C.;  Abeliovich, Hagai;  Abraham, Robert T.;  Acevedo-Arozena, Abraham
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Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI
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