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• 半导体研究所 [31]

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• OAI收割 [31]

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• 期刊论文 [27]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2020 [1]
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• 2010 [3]
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学科主题

• 半导体材料 [17]
• 光电子学 [12]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 520, 页码: 146358 作者:  Yunyu Wang;   Shenyuan Yang;   Hongliang Chang;   Weijiang Li;   Xiufang Chend;   Rui Hou;   Jianchang Yan;   Xiaoyan Yi;   Junxi Wang;   Tongbo Wei   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/06/28 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：127/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7 Chen J; Wang X; Wu AM; Zhang B; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/04 FABRICATION  SILICON  MEMS  NITRIDE   Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN  high electron mobility transistor (HEMT)  Si (111)   High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS