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• 半导体研究所 [13]

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• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films 期刊论文  OAI收割 rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：58/10  |  提交时间：2011/07/05 GaN  HVPE  freestanding thick films  stress release  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  PRESSURE  HVPE   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Wei HY;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：178/45  |  提交时间：2010/03/08 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  VAPOR-PHASE EPITAXY  INTRINSIC STRESS  SAPPHIRE SURFACE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  DIFFRACTION  MECHANISM   Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319 Zhou WM; Wang CY; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  strain and stress distribution  strain energy  finite element method  ISLANDS  GROWTH  GAAS  GAAS(001)  EVOLUTION   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a gamma-Al2O3 buffer layer 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 269-273 Shen WJ; Wang J; Wang QY; Duan Y; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ZINC-OXIDE FILMS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SAPPHIRE  GROWTH   Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dot  molecular beam epitaxy  kinetic effects  Monte Carlo simulation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERIODIC STRAIN  NUCLEATION   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH