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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
赵京昊
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提交时间:2019/07/15
电离总剂量辐射
热载流子效应
栅氧经时击穿
负偏置温度不稳定性
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
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提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
王汉宁
;
周航
;
余徳昭
;
魏莹
;
苏丹丹
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/06/02
总剂量辐射效应
超深亚微米
金属氧化物半导体场效应晶体管
静态随机存储器
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
崔江维
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提交时间:2016/05/10
超深亚微米器件
总剂量辐射
热载流子效应
负偏置温度不稳定性
相互作用
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应
会议论文
OAI收割
第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012
作者:
余学峰
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提交时间:2014/11/10
SOI
超深亚微米
寄生双极效应
背栅晶体管
沟道长度
热载流子效应
FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
毕大炜
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/06
全耗尽
SOI
Pseudo-MOS
总剂量辐射
硅纳米晶体
超深亚微米工艺条件下基于模型的光学邻近效应修正方法的研究
学位论文
OAI收割
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
朱亮
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浏览/下载:98/0
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提交时间:2012/03/06
分辨率增强技术
光学邻近效应修正
可制造性设计
亚分辨率辅助图形
光学和工艺邻近效应修正
先进喷射清洗工艺去除颗粒污染的理论和实验研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
孙震海
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提交时间:2012/03/06
喷射清洗
滴撞击
拖拽力
升力
表面浸润性