机构

• 半导体研究所 [10]
• 化学研究所 [4]
• 过程工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2022 [1]
• 2011 [2]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [2]
• 1999 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 光电子学 [3]
• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photothermal catalytic oxidation of toluene with enhanced efficiency over constructed CuMn2O4/Mn2O3 heterojunction catalyst 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 605, 页码: 9 作者:  Nie, Linfeng;  Li, Shuangde;  Chai, Shaohua;  Han, Ning;  Chen, Yunfa   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2023/02/24 Photothermal catalyst  VOC  Heterojunction   A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：250/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Studies of 9-H carbazole and its N-substituted derivatives by HeI ultraviolet photoelectron spectroscopy and quantum chemistry 期刊论文  OAI收割 ACTA CHIMICA SINICA, 1999, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 358-365 作者:  Chen, RZ;  Ren, J;  Li, WJ;  Zheng, SJ;  Wang, DX   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/09 9 - h Carbazole  n - Substituted Carbazole  Ups  Rhf/6 - 31g   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文  OAI收割 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS