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浏览/检索结果: 共648条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21 作者:  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Wang, Fengyun;  Han, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/12/04 Gaas Nanowires  Catalyst Epitaxy  Photovoltaics  Optical Absorption  Schottky Barrier   Determination of adsorption-controlled growth windows of chalcogenide perovskites 期刊论文  OAI收割 MRS COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 145, 151 作者:  Filippone, Stephen A.;  Sun, Yi-Yang;  Jaramillo, R.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/12/28 Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6 作者:  Jahn, U;  Musolino, M;  Lahnemann, J;  Dogan, P;  Garrido, SF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文  OAI收割 Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2 C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/12/24 Thin films  nitrides  sputtering  microstructure  chemical-vapor-deposition  molecular-beam epitaxy  optical-properties  lattice-constants  phase epitaxy  wurtzite inn  thin-films  layers  spectroscopy  nitridation   Large "near junction" thermal resistance reduction in electronics by interface nanoengineering 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2011, 卷号: 54, 期号: 25-26, 页码: 5183-5191 作者:  Hu, Ming;  Zhang, Xiaoliang;  Poulikakos, Dimos;  Grigoropoulos, Costas P. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/18 Electronics cooling  Near transistor junction  Interfacial thermal resistance  Molecular dynamics   Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   High-reflectivity aln/gan distributed bragg reflectors grown on sapphire substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Wu, C. M.;  Zhang, B. P.;  Shang, J. Z.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE