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• 西安光学精密机械研究... [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 衬底的分割方法 专利  OAI收割 专利号: CN100490191C, 申请日期: 2009-05-20, 公开日期: 2009-05-20 作者:  上田哲三;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体发光元件，其制造方法及安装方法 专利  OAI收割 专利号: CN100431179C, 申请日期: 2008-11-05, 公开日期: 2008-11-05 作者:  上田哲三;  油利正昭   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4057861B2, 申请日期: 2007-12-21, 公开日期: 2008-03-05 作者:  小野澤 和利;  上田 哲三;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 氮化镓晶体的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1255583C, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2006-05-10 作者:  油利正昭;  上田哲三;  马场孝明   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体装置及び基板の分割方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005072575A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17 作者:  上田 哲三;  上田 大助   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1485963A, 申请日期: 2004-03-31, 公开日期: 2004-03-31 作者:  小野泽和利;  上田哲三;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化镓结晶的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1203285A, 申请日期: 1998-12-30, 公开日期: 1998-12-30 作者:  油利正昭;  上田哲三;  马场孝明   |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム結晶の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998287496A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27 作者:  油利 正昭;  上田 哲三;  馬場 孝明   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31