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浏览/检索结果: 共60条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装方法およびプリンタ 专利  OAI收割 专利号: JP4964659B2, 申请日期: 2012-04-06, 公开日期: 2012-07-04 作者:  中塚 慎一;  大歳 創   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3719467B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24 作者:  中塚 慎一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 光モジュール及び半導体光デバイス 专利  OAI收割 专利号: JP2004119459A, 申请日期: 2004-04-15, 公开日期: 2004-04-15 作者:  中塚 慎一;  青木 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003142775A, 申请日期: 2003-05-16, 公开日期: 2003-05-16 作者:  中塚 慎一;  松本 拓也   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16 作者:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999284283A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15 作者:  中塚 慎一;  岡井 誠;  上島 研一;  高橋 健夫   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子及びその作製法 专利  OAI收割 专利号: JP1999145553A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  加藤 佳秋   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998335745A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  比留間 健之;  中塚 慎一;  田中 俊明;  濱田 博   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998242575A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11 作者:  百瀬 正之;  中塚 慎一;  河田 雅彦;  後藤 順;  大家 彰   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13