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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体光学素子 专利  OAI收割 专利号: JP2018133466A, 申请日期: 2018-08-23, 公开日期: 2018-08-23 作者:  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 激光光源模块 专利  OAI收割 专利号: CN101971441A, 申请日期: 2011-02-09, 公开日期: 2011-02-09 作者:  玉谷基亮;  难波织世;  中村聪;  福田圭一;  船冈幸治   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2009295879A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者:  高橋 博之;  中村 幸治;  久保田 宗親   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 分布帰還型半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008227367A, 申请日期: 2008-09-25, 公开日期: 2008-09-25 作者:  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007019390A, 申请日期: 2007-01-25, 公开日期: 2007-01-25 作者:  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000133599A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 発振波長可変半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18 作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24 作者:  山田 光志;  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999202274A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30 作者:  山田 光志;  中村 幸治;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999202275A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30 作者:  山田 光志;  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31