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• 西安光学精密机械研... [17]

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• 专利 [17]

发表日期

• 2000 [1]
• 1999 [3]
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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3080889B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999307862A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2950028B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20 作者:  中村 隆宏;  寺門 知二   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2917695B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/01/18 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2780337B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2776375B2, 申请日期: 1998-05-01, 公开日期: 1998-07-16 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体光アイソレータ 专利  OAI收割 专利号: JP1997129980A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997092925A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2550714B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-06 作者:  中村 隆宏;  北村 光弘;  麻多 進   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 光非相反回路 专利  OAI收割 专利号: JP1996190027A, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23 作者:  中村 隆宏;  鳥飼 俊敬   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31