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西安光学精密机械研... [13]
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OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
1999 [1]
1998 [1]
1996 [2]
1995 [1]
1994 [1]
1993 [7]
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量子井戸型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2913947B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
作者:
今本 浩史
;
今仲 行一
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提交时间:2019/12/26
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998022523A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
作者:
柳ケ瀬 雅司
;
今本 浩史
;
小西 康弘
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提交时间:2020/01/13
半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク
专利
OAI收割
专利号: JP1996056017A, 申请日期: 1996-02-27, 公开日期: 1996-02-27
作者:
高橋 敏幸
;
柳ケ瀬 雅司
;
今本 浩史
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提交时间:2019/12/31
半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996032111A, 申请日期: 1996-02-02, 公开日期: 1996-02-02
作者:
柳ケ瀬 雅司
;
今本 浩史
;
高橋 敏幸
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提交时间:2019/12/31
半導体発光素子、光学検知装置、光学的情報検知装置、投光器及び光ファイバーモジュール
专利
OAI收割
专利号: JP1995226535A, 申请日期: 1995-08-22, 公开日期: 1995-08-22
作者:
今本 浩史
;
柳ケ瀬 雅司
;
今仲 行一
;
清本 浩伸
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提交时间:2019/12/31
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994005916A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14
作者:
今本 浩史
;
今仲 行一
;
渡辺 秀明
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提交时间:2020/01/18
可視光半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993235475A, 申请日期: 1993-09-10, 公开日期: 1993-09-10
作者:
今本 浩史
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提交时间:2020/01/18
半導体量子箱の作製方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993082912A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
作者:
今本 浩史
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提交时间:2019/12/31
量子井戸型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993082898A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
作者:
今本 浩史
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提交时间:2020/01/13
量子井戸型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993082897A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
作者:
今本 浩史
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提交时间:2020/01/18