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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27 作者:  川口真生;  今藤修;  能崎信一郎;  萩野裕幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1574526A, 申请日期: 2005-02-02, 公开日期: 2005-02-02 作者:  伊藤启司;  木户口勋;  高山彻;  今藤修   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2003152277A, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-05-23 作者:  今藤 修;  中西 秀行;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003115637A, 申请日期: 2003-04-18, 公开日期: 2003-04-18 作者:  小林 康宏;  今藤 修   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 光ピックアップ 专利  OAI收割 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12 作者:  小野澤 和利;  井島 新一;  今藤 修;  油利 正昭   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3236208B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-10 作者:  高山 徹;  今藤 修;  吉川 昭男;  中西 秀行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14 作者:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3040262B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-15 作者:  今藤 修;  内藤 浩樹;  粂 雅博;  伊藤 国雄   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23 作者:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18