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• 西安光学精密机械研... [11]

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• OAI收割 [11]

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• 专利 [11]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [2]
• 1998 [2]
• 1997 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040135B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  西野 勇;  梅津 一之;  佐川 徹   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 ZnSe単結晶の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3821508B2, 申请日期: 2006-06-30, 公开日期: 2006-09-13 作者:  大高 修司;  山村 武晴;  佐川 徹;  笛吹 克夫   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 化合物半導体基板の作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP3403844B2, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-05-06 作者:  太刀川 正美;  森 英史;  山田 武;  佐々木 徹   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  吉井 重雄;  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  西川 孝司;  宮永 良子;  吉井 重雄;  齋藤 徹;  上山 智   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998112565A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/01/18 ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1997214062A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15 作者:  西野 勇;  佐川 徹;  笛吹 克夫   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 ZnSeホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 专利  OAI收割 专利号: JP1996217599A, 申请日期: 1996-08-27, 公开日期: 1996-08-27 作者:  永田 長寿;  梅津 一之;  佐川 徹;  西野 勇   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 低転位密度の薄膜成長法 专利  OAI收割 专利号: JP1999310493A, 公开日期: 1999-11-09 作者:  西野 勇;  佐川 徹;  田中 理子;  小山 泰幸   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26