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生长氮化镓晶体的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
作者:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙
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GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101568671A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
作者:  中畑成二;  元木健作
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单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
作者:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二
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窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26
作者:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作
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半导体光发射装置以及一种装置 专利  OAI收割
专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修
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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
作者:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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氮化物半导体发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN1799171A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
作者:  神川刚;  金子佳加;  元木健作
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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
作者:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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GaN単結晶基板 专利  OAI收割
专利号: JP3788037B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21
作者:  元木 健作;  西本 達也;  岡久 拓司;  松本 直樹
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GAN單晶衬底及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: HK1031469A, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-03-18
作者:  元木健作;  岡久拓司;  松本直樹
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