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• 西安光学精密机械研... [30]

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• 专利 [30]

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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000340841A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08 作者:  内田 憲治;  後藤 順;  五島 滋雄;  丹羽 敦子   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000232094A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22 作者:  丹羽 敦子;  後藤 順;  内田 憲治;  五島 滋雄;  高濱 光治   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000150959A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30 作者:  内田 憲治;  後藤 順;  河田 雅彦   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998335702A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  内田 憲治;  丹羽 敦子;  後藤 順;  河田 雅彦;  皆川 重量   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998256666A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  内田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998032370A, 申请日期: 1998-02-03, 公开日期: 1998-02-03 作者:  内田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997298341A, 申请日期: 1997-11-18, 公开日期: 1997-11-18 作者:  田中 俊明;  内田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系化合物半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997232681A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05 作者:  内田 憲治;  渡辺 明禎;  田中 俊明;  皆川 重量   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997051139A, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  田中 俊明;  渡辺 明禎;  内田 憲治;  赤松 正一   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13