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机构
西安光学精密机械研... [33]
采集方式
OAI收割 [33]
内容类型
专利 [33]
发表日期
2011 [2]
2010 [4]
2009 [3]
2008 [1]
2006 [3]
2002 [1]
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半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置
专利
OAI收割
专利号: JP4731148B2, 申请日期: 2011-04-28, 公开日期: 2011-07-20
作者:
別所 靖之
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP4726572B2, 申请日期: 2011-04-22, 公开日期: 2011-07-20
作者:
井上 大二朗
;
畑 雅幸
;
別所 靖之
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2010258467A, 申请日期: 2010-11-11, 公开日期: 2010-11-11
作者:
畑 雅幸
;
別所 靖之
;
野村 康彦
;
庄野 昌幸
;
梶山 清治
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2010062245A, 申请日期: 2010-03-18, 公开日期: 2010-03-18
作者:
大保 広樹
;
畑 雅幸
;
別所 靖之
;
久納 康光
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010056105A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
作者:
別所 靖之
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010016095A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
作者:
畑 雅幸
;
別所 靖之
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提交时间:2020/01/13
窒化物系半導体素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2009123939A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
作者:
別所 靖之
;
竹内 邦生
;
久納 康光
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2009124119A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
作者:
別所 靖之
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2009027149A, 申请日期: 2009-02-05, 公开日期: 2009-02-05
作者:
別所 靖之
;
大保 広樹
;
畑 雅幸
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2008252069A, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16
作者:
畑 雅幸
;
久納 康光
;
別所 靖之
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提交时间:2019/12/30