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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割 专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10 作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30 作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光装置及光装置 专利  OAI收割 专利号: CN102468608A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  香月阳介;  别所靖之   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15 作者:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101958508A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 作者:  别所靖之;  言水孝二;  清水源;  三桥大树;  太田洁   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光装置和光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101414732B, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2010-09-22 作者:  井上大二朗;  别所靖之;  畑雅幸;  野村康彦   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 专利  OAI收割 专利号: CN101789562A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28 作者:  别所靖之;  大保广树;  竹内邦生;  德永诚一;  久纳康光   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26