机构

• 西安光学精密机械研... [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 专利 [11]

发表日期

• 2007 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [1]
• 1999 [1]
• 1997 [2]
• 1996 [2]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3958818B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15 作者:  岡川 広明;  只友 一行;  大内 洋一郎   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 专利  OAI收割 专利号: CN1162919C, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2004-08-18 作者:  只友一行;  宫下启二;  冈川広明;  平松和政;  大内洋一郎   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 p型GaN系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3341948B2, 申请日期: 2002-08-23, 公开日期: 2002-11-05 作者:  渡部 信一;  橋本 孝行;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 GaN系半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999163402A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  岡川 広明;  大内 洋一郎;  宮下 啓二;  谷口 浩一;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2662792B2, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-10-15 作者:  伊藤 晃;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 III族窒化物発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997129926A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16 作者:  大内 洋一郎;  岡川 広明;  只友 一行;  渡部 信一   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996330678A, 申请日期: 1996-12-13, 公开日期: 1996-12-13 作者:  渡部 信一;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 p型AlGaN系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996008460A, 申请日期: 1996-01-12, 公开日期: 1996-01-12 作者:  渡部 信一;  岡川 広明;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995273367A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20 作者:  只友 一行;  岡川 広明;  渡部 信一;  平松 和政   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 ZnSeを有する半導体材料 专利  OAI收割 专利号: JP1993037019A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12 作者:  渡部 信一;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31