机构

• 西安光学精密机械研... [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 专利 [11]

发表日期

• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1995 [5]
• 1994 [4]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム 专利  OAI收割 专利号: JP1998027946A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27 作者:  右田 雅人;  百瀬 正之;  中塚 慎一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2643322B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20 作者:  右田 雅人;  大家 彰;  椎木 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置及びその作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995321419A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08 作者:  後藤 順;  百瀬 正之;  大家 彰;  中塚 慎一;  右田 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995142765A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02 作者:  中塚 慎一;  後藤 順;  百瀬 正之;  大家 彰;  右田 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1995094822A, 申请日期: 1995-04-07, 公开日期: 1995-04-07 作者:  百瀬 正之;  大家 彰;  後藤 順;  右田 雅人;  山本 立春   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子及びその作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995045911A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14 作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  大家 彰;  後藤 順;  百瀬 正之   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP1995045538A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14 作者:  大家 彰;  百瀬 正之;  後藤 順;  右田 雅人;  山本 立春   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその作製法 专利  OAI收割 专利号: JP1994232496A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19 作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  内田 憲治;  矢野 振一郎   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994204606A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22 作者:  後藤 順;  大家 彰;  百瀬 正之;  右田 雅人;  大歳 創   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994085392A, 申请日期: 1994-03-25, 公开日期: 1994-03-25 作者:  中塚 慎一;  右田 雅人;  矢野 振一郎   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13