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• 西安光学精密机械研... [13]

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• 2013 [1]
• 2010 [2]
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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101604817B, 申请日期: 2013-07-17, 公开日期: 2013-07-17 作者:  多田健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01 作者:  多田健太郎;  远藤健司;  深谷一夫;  奥田哲朗;  小林正英   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN101645578A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10 作者:  福田和久;  笹冈千秋;  多田健太郎;  五十岚俊昭;  宫坂文人   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 ファブリペロー型共振器レーザとその設計方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008294202A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者:  多田 健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000340890A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08 作者:  荒木田 孝博;  宮坂 文人;  正野 篤士;  多田 健太郎;  大沢 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 高出力半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000294877A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20 作者:  多田 健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 高出力半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999340563A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10 作者:  多田 健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ—ザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999274657A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08 作者:  多田 健太郎;  堀田 等;  宮坂 文人   |  收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2980302B2, 申请日期: 1999-09-17, 公开日期: 1999-11-22 作者:  多田 健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1998303501A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  多田 健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18