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西安光学精密机械研究... [9]
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OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1996 [1]
1995 [1]
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半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3924859B2, 申请日期: 2007-03-09, 公开日期: 2007-06-06
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/13
光半導体装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2005347665A, 申请日期: 2005-12-15, 公开日期: 2005-12-15
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/13
光増幅器集積光分波器及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998256663A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:
大坪 孝二
;
小滝 裕二
;
石川 浩
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提交时间:2019/12/31
面発光半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997018083A, 申请日期: 1997-01-17, 公开日期: 1997-01-17
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザとその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996236865A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2019/12/31
面発光半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995263793A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994314855A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:
大坪 孝二
;
小路 元
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994053614A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993183229A, 申请日期: 1993-07-23, 公开日期: 1993-07-23
作者:
大坪 孝二
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提交时间:2020/01/13