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半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3924859B2, 申请日期: 2007-03-09, 公开日期: 2007-06-06
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2005347665A, 申请日期: 2005-12-15, 公开日期: 2005-12-15
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
光増幅器集積光分波器及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998256663A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:  
大坪 孝二;  小滝 裕二;  石川 浩
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
面発光半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997018083A, 申请日期: 1997-01-17, 公开日期: 1997-01-17
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996236865A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31
面発光半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995263793A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子とその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994314855A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:  
大坪 孝二;  小路 元
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994053614A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993183229A, 申请日期: 1993-07-23, 公开日期: 1993-07-23
作者:  
大坪 孝二
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13