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半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3697304B2, 申请日期: 2005-07-08, 公开日期: 2005-09-21
作者:  
大場 康夫;  波多野 吾紅
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体積層基板および光半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2004006732A, 申请日期: 2004-01-08, 公开日期: 2004-01-08
作者:  
櫛 部 光 弘;  大 場 康 夫;  橋 本 玲;  高 岡 圭 児
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
化合物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP3243111B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2002-01-07
作者:  
波多野 吾紅;  大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3152901B2, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-04-03
作者:  
波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
青色半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998247760A, 申请日期: 1998-09-14, 公开日期: 1998-09-14
作者:  
大場 康夫;  泉谷 敏英;  波多野 吾紅
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998242567A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  
波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998242569A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  
波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者:  
大場 康夫;  菅原 秀人
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1997232685A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:  
大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997219541A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19
作者:  
波多野 吾紅;  泉谷 敏英;  大場 康夫
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18