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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

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• 2015 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 专利  OAI收割 专利号: JP2015011104A, 申请日期: 2015-01-19, 公开日期: 2015-01-19 作者:  間宮 敏晴;  中畑 浩志   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 发光二极管及半导体激光 专利  OAI收割 专利号: CN1189952C, 申请日期: 2005-02-16, 公开日期: 2005-02-16 作者:  太田裕道;  折田政宽;  细野秀雄;  河村贤一;  猿仓信彦   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3110527B2, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-11-20 作者:  内藤 浩樹;  粂 雅博;  太田 一成;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザアレイ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2912750B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-28 作者:  粂 雅博;  太田 一成;  清水 裕一;  内藤 浩樹   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 光パルス発生素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998229252A, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25 作者:  太田 浩一;  菅 博文;  森田 剛徳   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998084130A, 申请日期: 1998-03-31, 公开日期: 1998-03-31 作者:  太田 浩一;  菅 博文   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザアレイ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993226765A, 申请日期: 1993-09-03, 公开日期: 1993-09-03 作者:  粂 雅博;  内藤 浩樹;  太田 一成   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993183235A, 申请日期: 1993-07-23, 公开日期: 1993-07-23 作者:  内藤 浩樹;  粂 雅博;  太田 一成;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザアレイ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993167175A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02 作者:  粂 雅博;  内藤 浩樹;  太田 一成;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993160503A, 申请日期: 1993-06-25, 公开日期: 1993-06-25 作者:  内藤 浩樹;  粂 雅博;  太田 一成;  清水 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18