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• 西安光学精密机械研究... [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1983751B, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16 作者:  川上俊之;  山崎幸生;  山本秀一郎   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008124485A, 申请日期: 2008-05-29, 公开日期: 2008-05-29 作者:  山崎 幸生;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006269954A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05 作者:  山崎 幸生;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备 专利  OAI收割 专利号: CN1790844A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 作者:  山崎幸生   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP3511372B2, 申请日期: 2004-01-16, 公开日期: 2004-03-29 作者:  山崎 幸生;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002319744A, 申请日期: 2002-10-31, 公开日期: 2002-10-31 作者:  山崎 幸生;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 作者:  津田 有三;  湯浅 貴之;  伊藤 茂稔;  種谷 元隆;  山崎 幸生   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001298243A, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2001-10-26 作者:  伊藤 茂稔;  山崎 幸生   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子および光学式情報再生装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001085796A, 申请日期: 2001-03-30, 公开日期: 2001-03-30 作者:  伊藤 茂稔;  山崎 幸生;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31