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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2003 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3421836B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30 作者:  山本 知生   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000244065A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08 作者:  山本 知生   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999214787A, 申请日期: 1999-08-06, 公开日期: 1999-08-06 作者:  山本 知生   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998200189A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31 作者:  山本 知生;  幸前 篤郎   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25 作者:  山本 ▲ミツ▼夫;  山本 知生;  中野 純一;  都築 信頼   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994090062A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29 作者:  山本 ▲みつ▼夫;  山本 知生;  中野 純一   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994029617A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04 作者:  野口 悦男;  松本 信一;  近藤 進;  山本 知生;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13