中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共19条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3695812B2, 申请日期: 2005-07-08, 公开日期: 2005-09-14
作者:  
山田 光志;  村井 仁;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24
半导体激光器的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  
后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体激光器的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  
后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26
光信号発生方法、光信号発生装置、光通信·光情報処理装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000133886A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
作者:  
山田 光志
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18
光半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者:  
山田 光志;  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999202274A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  
山田 光志;  中村 幸治;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
リッジ導波路型半導体光機能素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999202275A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  
山田 光志;  中村 幸治
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体光機能素子及び半導体光機能装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999174254A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02
作者:  
山田 光志
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
変調器付きレーザの形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998027936A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27
作者:  
加藤 幸雄;  山田 光志
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31
プレーナ構造半導体光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997116229A, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-05-02
作者:  
山田 光志;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18