机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2004 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [3]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24 作者:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3543628B2, 申请日期: 2004-04-16, 公开日期: 2004-07-14 作者:  冨岡 聡;  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001244573A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07 作者:  御友 重吾;  岡野 展賢;  成井 啓修   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000133882A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000114665A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21 作者:  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999354888A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24 作者:  成井 啓修;  谷口 健博;  植野 紀子;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置、半導体レーザ等の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999330611A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  植野 紀子;  田口 歩;  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999330616A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  岡野 展賢;  成井 啓修;  田口 歩;  植野 紀子   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31