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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN110061419A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26 作者:  川上俊之;  太田将之;  川村亮太   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JPWO2015056489A1, 申请日期: 2017-03-09, 公开日期: 2017-03-09 作者:  川上 俊之;  有吉 章   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 专利  OAI收割 专利号: CN104854766A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19 作者:  谷健太郎;  川上俊之;  有吉章   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置及び熱アシスト磁気記録ヘッド 专利  OAI收割 专利号: JP2014229337A, 申请日期: 2014-12-08, 公开日期: 2014-12-08 作者:  川上 俊之;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス 专利  OAI收割 专利号: JP2014022379A, 申请日期: 2014-02-03, 公开日期: 2014-02-03 作者:  川上 俊之;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体激光器及晶片 专利  OAI收割 专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16 作者:  谷健太郎;  谷善彦;  川上俊之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06 作者:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06 作者:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102299481A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28 作者:  谷健太郎;  川上俊之;  谷善彦   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 作者:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18