中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [9]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [7]
专利 [1]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [2]
2019 [4]
2018 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2011 [1]
更多
学科主题
Engineerin... [1]
Physics [1]
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1635-1640
作者:
王利斌
;
姚帅
;
陆妩
;
王信
;
于新
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2020/10/09
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
双极电压比较器
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126
作者:
姚帅
;
陆妩
;
于新
;
李小龙
;
王信
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2019/06/21
变温辐照方法
双极电压比较器
电离总剂量
单粒子瞬态
偏置状态
协同效应
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
Total Ionizing Dose Characterization of a SRAM in 28nm UTBB FDSOI Technology
会议论文
OAI收割
作者:
Qiwen Zheng
;
mengxin Liu
;
Jiangwei Cui
;
Shanxue Xi
;
Ying Wei
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/05/10
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法
专利
OAI收割
申请日期: 2014-03-19,
作者:
郭红霞
;
郭旗
;
张晋新
;
文林
;
陆妩
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/08/10
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
作者:
李明
;
余学峰
;
许发月
;
李茂顺
;
高博
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/11/29
Degradation
Radiation damage
Static random access storage
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应