机构

• 西安光学精密机械研... [16]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 专利 [16]

发表日期

• 2001 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [6]
• 1996 [7]
• 1995 [1]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 電流出力インターフェース回路および光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001184696A, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-07-06 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1998341058A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22 作者:  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  堀川 英明;  後藤 修;  中村 幸治   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1997181387A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11 作者:  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  後藤 修;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 AlGaAsの表面処理方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997083080A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28 作者:  後藤 修;  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997045999A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14 作者:  堀川 英明;  山内 義則;  後藤 修;  八重樫 浩樹   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997036475A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07 作者:  中村 幸治;  後藤 修;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997027656A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28 作者:  山内 義則;  堀川 英明;  後藤 修;  八重樫 浩樹   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1997027651A, 申请日期: 1997-01-28, 公开日期: 1997-01-28 作者:  八重樫 浩樹;  堀川 英明;  後藤 修;  山内 義則   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/18 分布帰還型レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996321661A, 申请日期: 1996-12-03, 公开日期: 1996-12-03 作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人;  後藤 修   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996288589A, 申请日期: 1996-11-01, 公开日期: 1996-11-01 作者:  後藤 修;  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13