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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置 专利  OAI收割 专利号: CN102244364A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16 作者:  林伸彦;  吉川秀樹;  藏本慶一;  野村康彦;  後藤壮謙   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体のエッチング方法 专利  OAI收割 专利号: JP3850944B2, 申请日期: 2006-09-08, 公开日期: 2006-11-29 作者:  太田 潔;  後藤 壮謙   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3459607B2, 申请日期: 2003-08-08, 公开日期: 2003-10-20 作者:  後藤 壮謙;  林 伸彦   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3268958B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者:  松本 光晴;  林 伸彦;  後藤 壮謙;  國里 竜也;  茨木 晃   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17 作者:  吉年 慶一;  茨木 晃;  林 伸彦;  古沢 浩太郎;  田尻 敦志   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3234310B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04 作者:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  林 伸彦;  松川 健一;  三宅 輝明   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001007434A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12 作者:  林 伸彦;  後藤 壮謙;  松本 光晴   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000340894A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08 作者:  野村 康彦;  後藤 壮謙;  古沢 浩太郎;  林 伸彦;  田尻 敦志   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000277859A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者:  林 伸彦;  後藤 壮謙   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000244062A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08 作者:  後藤 壮謙;  林 伸彦   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13