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西安光学精密机械研... [20]
采集方式
OAI收割 [20]
内容类型
专利 [20]
发表日期
2013 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [5]
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光走査装置、および画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP5359209B2, 申请日期: 2013-09-13, 公开日期: 2013-12-04
作者:
宮垣 一也
;
萩谷 利道
;
高浦 淳
;
前田 育夫
;
船戸 広義
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提交时间:2019/12/26
レーザCRTとこれに用いる発光素子体の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3321986B2, 申请日期: 2002-06-28, 公开日期: 2002-09-09
作者:
森 芳文
;
船戸 健次
;
戸田 淳
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提交时间:2019/12/26
面発光半導体レーザー
专利
OAI收割
专利号: JP3239516B2, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-12-17
作者:
戸田 淳
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3235225B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-04
作者:
山本 直
;
石橋 晃
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18
発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000349333A, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2000-12-15
作者:
小島 繁
;
白井 克弥
;
森 芳文
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999145565A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者:
中野 一志
;
奥山 浩之
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:
池田 昌夫
;
中野 一志
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:
戸田 淳
;
石橋 晃
;
白石 誠司
;
野口 裕泰
;
左中 由美
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998233554A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02
作者:
中野 一志
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子およびそれを用いた光ディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998200216A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31
作者:
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18