机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 1998 [3]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
• 1993 [2]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2781097B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30 作者:  早藤 紀生   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998012973A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  宮下 宗治;  三橋 豊;  早藤 紀生;  マルクス ディートハード   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998012958A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  唐木田 昇市;  早藤 紀生;  木村 達也;  宮下 宗治;  杵築 弘隆   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1997064459A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07 作者:  早藤 紀生;  鈴木 大輔   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 選択MOCVD成長法による成膜方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996264454A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 作者:  板垣 卓士;  竹見 政義;  早藤 紀生   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 エピタキシヤル結晶の評価方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993121510A, 申请日期: 1993-05-18, 公开日期: 1993-05-18 作者:  早藤 紀生   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザダイオードの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993037079A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12 作者:  早藤 紀生   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置とその製造方法並びに製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993267780A, 公开日期: 1993-10-15 作者:  芝 哲夫;  早藤 紀生;  杵築 弘隆;  金野 信明;  多田 仁史   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26