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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101599617B, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2012-11-21 作者:  高山彻;  早川功一;  佐藤智也;  佐佐木正隼;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101483318B, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 作者:  藤本康弘;  中谷东吾;  高山彻;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 双波长半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101394065B, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16 作者:  粂雅博;  高山彻;  高须贺祥一;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1610138B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12 作者:  北冈康夫;  峯本尚;  木户口勋;  塚本和芳   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101582564A, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18 作者:  高山彻;  永井洋希;  佐藤仁;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 双波长半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101533991A, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16 作者:  早川功二;  高山彻;  粂雅博;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101490915A, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 作者:  佐藤智也;  高山彻;  早川功一;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101359806A, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  高山彻;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101252254A, 申请日期: 2008-08-27, 公开日期: 2008-08-27 作者:  藤本康弘;  高山彻;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14 作者:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26