机构

• 西安光学精密机械研... [58]

采集方式

• OAI收割 [58]

内容类型

• 专利 [58]

发表日期

• 2013 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [3]
• 2003 [3]
• 2002 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共58条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 多波長半導体レーザ装置及び該多波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2013084791A, 申请日期: 2013-05-09, 公开日期: 2013-05-09 作者:  永井 洋希;  高須賀 祥一;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03 作者:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008072145A, 申请日期: 2008-03-27, 公开日期: 2008-03-27 作者:  福久 敏哉;  木戸口 勲;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2006108139A, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20 作者:  木戸口 勲;  伊藤 啓司;  矢島 浩義;  持田 篤範   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006100376A, 申请日期: 2006-04-13, 公开日期: 2006-04-13 作者:  矢島 浩義;  長谷川 義晃;  木戸口 勲;  北岡 康夫   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3454181B2, 申请日期: 2003-07-25, 公开日期: 2003-10-06 作者:  木戸口 勲;  大塚 信之;  伴 雄三郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09 作者:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  宮永 良子;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07 作者:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13