机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2006 [1]
• 2001 [3]
• 2000 [2]
• 1998 [1]
• 1997 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 ポリマー光導波路、及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2006119659A, 申请日期: 2006-05-11, 公开日期: 2006-05-11 作者:  井戸 立身;  小泉 真里;  山岸 智明;  木村 隆男   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3217004B2, 申请日期: 2001-08-03, 公开日期: 2001-10-09 作者:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  仁道 正明   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3206555B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10 作者:  仁道 正明;  木村 明隆   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3147821B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19 作者:  木村 明隆;  砂川 晴夫;  仁道 正明;  笹岡 千秋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000299528A, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24 作者:  木村 明隆   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3060973B2, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-07-10 作者:  木村 明隆;  仁道 正明   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998341060A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22 作者:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  山口 敦史;  仁道 正明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997153657A, 申请日期: 1997-06-10, 公开日期: 1997-06-10 作者:  木村 明隆   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13