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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2001 [2]
1999 [1]
1995 [2]
1994 [2]
1993 [1]
学科主题
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共8条,第1-8条
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半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
作者:
吉年 慶一
;
茨木 晃
;
林 伸彦
;
古沢 浩太郎
;
田尻 敦志
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3234310B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04
作者:
古沢 浩太郎
;
茨木 晃
;
林 伸彦
;
松川 健一
;
三宅 輝明
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2966686B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-25
作者:
松川 健一
;
茨木 晃
;
林 伸彦
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995326815A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者:
松川 健一
;
後藤 荘謙
;
茨木 晃
;
林 伸彦
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提交时间:2020/01/13
自励発振型半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995022695A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
作者:
三宅 輝明
;
茨木 晃
;
林 伸彦
;
田尻 敦志
;
古沢 浩太郎
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提交时间:2020/01/18
リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994302907A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者:
林 伸彦
;
松川 健一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994164062A, 申请日期: 1994-06-10, 公开日期: 1994-06-10
作者:
松川 健一
;
林 伸彦
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993075206A, 申请日期: 1993-03-26, 公开日期: 1993-03-26
作者:
本多 正治
;
松川 健一
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提交时间:2020/01/18