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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP3769872B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-04-26
作者:
森田 悦男
;
河合 弘治
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3713692B2, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-11-09
作者:
森田 悦男
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提交时间:2020/01/13
具有解理表面的半导体器件
专利
OAI收割
专利号: CN1104766C, 申请日期: 2003-04-02, 公开日期: 2003-04-02
作者:
森田悦男
;
河合弘治
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提交时间:2019/12/26
半導体発光装置および半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999068237A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:
森田 悦男
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提交时间:2019/12/30
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:
池田 昌夫
;
森田 悦男
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997181392A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:
森田 悦男
;
河合 弘治
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提交时间:2020/01/18
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
作者:
松元 理
;
冨谷 茂隆
;
中野 一志
;
長井 政春
;
伊藤 哲
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提交时间:2020/01/13
化合物半導体装置とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993335258A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17
作者:
森田 悦男
;
冨谷 茂隆
;
山本 直
;
石橋 晃
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提交时间:2020/01/18