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半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3315185B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-19
作者:  
國次 恭宏;  永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000058971A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:  
永井 豊;  三橋 豊;  宮下 宗治;  梶川 靖友
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999163468A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:  
永井 豊;  多田 仁史
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ,及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999068231A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  
永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ,及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999040879A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者:  
永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999026866A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  
梶川 靖友;  永井 豊;  川崎 和重
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999017267A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  
坂本 善史;  永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2863677B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-03-03
作者:  
永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザダイオードとその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998321947A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者:  
永井 豊;  多田 仁史
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998256640A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者:  
多田 仁史;  永井 豊
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2020/01/18