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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助

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GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  杨辉;  池田昌夫
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  杨辉;  池田昌夫
  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/26
具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 专利  OAI收割
申请日期: 2018-08-10,
作者:  张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉
  |  收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/04/01
具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法 专利  OAI收割
专利号: 201410408878.9, 申请日期: 2017-12-19,
作者:  周坤;  池田昌夫;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群;  杨辉
  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2018/02/28
光學半導體元件封裝體 专利  OAI收割
专利号: TW201735479A, 申请日期: 2017-10-01, 公开日期: 2017-10-01
作者:  池田巧;  海沼正夫;  木村康之;  姜昌薰;  姜泰旭
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN106783978A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  田爱琴;  刘建平;  池田昌夫;  张书明;  李德尧
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18
GaAs隧道结及其制备方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN103367480B, 申请日期: 2016-04-27,
作者:  甘兴源;  郑新和;  吴渊渊;  王海啸;  王乃明
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/13
激光二极管 专利  OAI收割
专利号: CN102403650B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者:  横山弘之;  河野俊介;  大木智之;  池田昌夫;  宫嶋孝夫
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
锁模半导体激光器件及其驱动方法 专利  OAI收割
专利号: CN102195232B, 申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法 专利  OAI收割
专利号: CN102856788A, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:  渡边秀辉;  宫岛孝夫;  池田昌夫;  大木智之;  仓本大
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31